Как правильно прозвонить транзистор: Краткие советы, как проверить транзистор | Электронные компоненты. Дистрибьютор и магазин онлайн

Содержание

Как проверить и прозвонить транзистор: особенности работы мультиметром

Проверка транзисторов является важным моментом в электронике и радиотехнике. Попытайтесь самостоятельно разобраться, как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Это достаточно простая процедура, которую можно выполнить различными способами. Наиболее практичный вариант — проверка транзистора мультиметром. Именно об этом способе и пойдет речь в рассматриваемой статье.

  • Общие сведения
  • Проверка биполярного транзистора
  • Испытание полевого устройства
  • Преимущество метода

Общие сведения

На сегодняшний день существует два типа транзисторов — биполярный и полевой. У первого выходной ток создается с участием обоих зарядов в виде дырок и электронов, а в другом варианте участвует только один из носителей.

  • Биполярные элементы являются полупроводниковыми приборами с тремя выводами и двумя переходами типа p-n. Принцип действия таких приборов основывается на использовании положительных и отрицательных зарядов.
    Управление же ведется специально выделенным управляющим током. Широко применяются в различных технических схемах.
  • У полевого варианта имеются затвор, сток и исток, через которые осуществляется управление. В случае каких-либо неисправностей процедуру осуществляют различными способами, включая мультиметр. Рассмотрев указанное устройство и их основные особенности, перейдем к вопросу, как прозвонить транзистор мультиметром.

Проверка биполярного транзистора

Указанная процедура для биполярных транзисторов начинается с грамотной настройки прибора. Устройство переключают в режим проверки полупроводников, на дисплее должна высвечиваться единица. Выводы подключаются по аналогии с режимом измерения сопротивления. С портом СОМ соединяют провод черного цвета, а на выходе для измерения напряжения, сопротивления и частоты подключают красный провод. Если мультиметр не имеет соответствующего режима, то процесс следует вести в режиме измерения сопротивления при выставлении на максимум.

Еще важно, чтобы батарея мультиметра была полностью заряжена и исправны щупы. При соединении кончиков об исправности свидетельствуют писк прибора и нули на экране. Порядок действий в данном случае идет по таким шагам:

  • Правильно соединяем выводы мультиметра и транзистора. Определяем местонахождение базы, коллектора и эмиттера. Щупы меняют местами до тех пор, пока не произойдет падение напряжения. Проводим проверку по парам база-эмиттер или база-коллектор.
  • Пара база-коллектор означает, что красный щуп подведен к базе, черный же — к коллектору. Соединение работает в режиме диода и проводит ток лишь в одном направлении.
  • При проверке через соединение база-эмиттер черный провод подключают к эмиттеру. Ток также проходит исключительно в прямом направлении.
  • Переход эмиттер-коллектор исправен в том случае, если сопротивление на экране стремится к бесконечности.
  • Подключаем мультиметр к каждой паре контактов в обоих направлениях в обратном направлении, к базе включают черный щуп. Полученные результаты сравниваются.
  • Работоспособность устройства подтверждается наличием конечного сопротивления, обратная полярность показывает единицу.

В результате не потребуется выпаивания элемента на предмет его исправности. Если же вы хотите использовать для проверки лампочки и другие элементы, то не рекомендуется этого делать, поскольку есть риск окончательно испортить транзистор биполярного типа.

Испытание полевого устройства

Процедура по таким элементам

аналогична биполярным. Однако здесь имеются некоторые особенности:

  1. Если положительный щуп приложен к мультиметру, а отрицательный к истоку, то происходит зарядка емкости и открытие перехода.
  2. Перед проверкой канала сток-исток выполняют короткое замыкание всех выводов для разрядки емкости. Сопротивления снова увеличивают и можно повторно прозванивать их мультиметром.
  3. Нередко ставятся внутренние диоды. Во время процедуры проявляются свойства полупроводникового прибора.
  4. По указанной выше причине нужно убедиться в наличии диода, дабы измерение проходило без ошибок.
  5. После первого процесса меняют местами щупы. На дисплее появится единица, указывая на бесконечное сопротивление. В противном случае транзистор неисправен.

За счет указанных моментов удается произвести качественную проверку полевых устройств, не задействовав при этом выпаивания. Если же у вас составной прибор, то проверка аналогична методике по биполярным устройствам.

Преимущество метода

Проверка транзистора с применением мультиметра выгодна тем, что нет необходимости выпаивания элемента, и она — достаточно точная. Методика проверки биполярных и полевых устройств схожа, но необходимо учитывать ряд моментов и нюансов, которые способствуют улучшению методики. Грамотная настройка мультиметра и умение работать с различными элементами позволит произвести наиболее точную и качественную проверку исправности приборов любого вида.

Как проверить транзистор? Воспользуйтесь мультиметром

Главная > Новости > Как проверить транзистор мультиметром

Проверяем работоспособность транзистора мультиметром

При работах с печатными платами, разработке и создании микросхем, для того, чтобы оборудование в последующем было работоспособным необходимо очень внимательно относиться не только к сборке схемы, но и к подбору составляющих элементов. В этом случае одной из обязательных операций является их предварительное тестирование. При диагностике неисправности приборов приходится тестировать каждый элемент по отдельности, не нарушая схемы. Поэтому вопрос о том, как проверить транзистор мультиметром является для электронщиков, радиотехников весьма актуальным.

Транзисторы и их виды

Радиоэлемент с тремя контактами, триод, предназначен для управления током электроцепи при воздействии на него внешнего сигнала. Он используется при создании генераторов, усилителей, других подобных систем.

Триоды лампового типа были очень громоздки, потребляли большое количество энергии, сильно нагревались. Сделать их более компактными, пригодными для миниатюризации оборудования позволило создание полупроводников. Полупроводниковый триод – транзистор, выполняет те же функции, но не требует предварительного разогрева, тратит минимальное количество энергии на «собственные нужды», очень компактен.

Современный рынок радиотехники предлагает несколько видов транзисторов:

  • биполярные, имеют три вывода и два р-п перехода, действие их основано на движении свободных электронов, имеющих отрицательный заряд, и «дырок» (кристаллических структур в которых не хватает одного электрона), заряженных положительно, они находят широкое применение в электронике, радиотехнике;
  • полевые, управляются входящим напряжением цепи, используются в видео-, аудиоаппаратуре, при изготовлении мониторов, блоков питания и так далее;
  • составные (транзисторы Дарлингтона), это схема в которой участвуют два (или больше) биполярных транзистора, благодаря чему увеличивается их коэффициент по току, эти элементы востребованы в оборудовании, работающем с большими токами: стабилизаторы, усилители мощности и так далее;
  • цифровой транзистор – обязательный элемент микроконтроллерной техники, видео-, аудиоаппаратуры, представляет собой биполярный транзистор и цепочку (1-2) резисторов, резистора и стабилитрона, их использование способствует сокращению площади печатной платы, уменьшает затраты на монтаж оборудования.

В случае возникновения неисправности оборудования, первым делом мастер сервиса, мастерской по ремонту аппаратуры проверяет мультиметром не выпаивая из схемы именно транзисторы.

Необходимость проверки транзисторов

Современный радиорынок предлагает широкий выбор транзисторов, производимых отечественными и зарубежными компаниями. Многие потребители отмечают, что случаи того, что новые элементы оказываются негодными, не являются редкостью. При чем, это может быть как отдельный экземпляр, так и партия, состоящая из 50-100 штук. Чаще всего этому подвержены мощные транзисторы. Поэтому каждый мастер, радиолюбитель знает, что даже новый, еще ни разу не паяный экземпляр перед монтажом необходимо проверить на работоспособность.

Работая над сборкой нового прибора, потребитель встречается с указанием в инструкции, описании к создаваемой конструкции, определенных требований к используемым транзисторам. Для определения параметров элементов существуют специальные приборы (испытатели транзисторов), которые позволяют измерять практически все характеристики.

Но все же наиболее часто приходится выполнять тестирование по принципу «исправен/неисправен», для чего достаточно обычного мультиметра.

Радиолюбители, люди увлеченные самостоятельной сборкой, разработкой, созданием различного радио-, электро-, электронного оборудования довольно часто используют уже бывшие в использовании элементы, которые были получены в ходе демонтажа отслуживших свой срок плат, вышедших из строя, потерявших свою актуальность приборов. В этом случае необходимо проверять все используемые элементы, не только транзисторы, но и другие радиодетали. Ведь гораздо проще отбраковать еще не установленные экземпляры, чем потом, после завершения сборки конструкции убедиться в ее неработоспособности и искать неисправное, «слабое» звено.

Прибор для проверки транзисторов

Для определения характеристик транзисторов, проверки их исправности имеются специальные приборы, но гораздо проще и экономически оправдано воспользоваться мультиметром, прибором, который имеется под рукой у любого радиотехника, электронщика.

Мультиметр – универсальный, многофункциональный измеритель. Самые простые модели измеряют напряжение, сопротивление и силу тока. Однако производители не останавливаются на этом минимальном перечне. Новые, более современные модели способны измерять емкость конденсаторов, частоту электрического тока, имеют встроенный низкочастотный генератор, термометр, измеритель влажности, звуковой пробник и так далее. Среди их функций предусмотрена и возможность прозвона диодов, транзисторов: оценка падения напряжения на р-п переходе, измерение некоторых других характеристик, тестирование работоспособности.

Мультиметры, представленные на современном рынке подразделяются на две обширные категории: аналоговые и цифровые. Основное их отличие состоит в способе отображения результатов проведенных замеров. Аналоговые модели имеют циферблат, с нанесенными на нам шкалами и стрелку, по отклонению которой пользователь может судить о полученных данных. На точность информации оказывают влияние не только характеристики прибора и необходимость правильно выбрать диапазон предполагаемых значений, но и тот момент, что стрелка не «замирает» на одном месте, а постоянно совершает, пусть и не значительные колебания около некоторого значения.

Цифровые модели лишены этих недостатков, поскольку полученные с их помощью данные отображаются на дисплее, экране в цифровом виде. Разумеется, такие приборы имеет более высокую стоимость, но они точнее, удобнее в использовании, поэтому уверенно «отвоевывают» все новые «вершины».

Процесс проверки

Мультиметр небольшой, довольно плоский прибор прямоугольной формы. На лицевой его панели расположены: циферблат (дисплей), переключатель, другие кнопки управления, гнезда и выходы для подсоединения щупов. Область вокруг переключателя разделена на сегменты, измерительные диапазоны. Перед началом проведения тестирования пользователь, вращая рукоятку, выбирает нужный ему сегмент. Один из диапазонов сопротивления используется для «прозвона» транзисторов. Определить его можно по маркирующему знаку, представляющему собой символьное обозначение диода и звучащего динамика.

Прежде чем начинать проверку полупроводника, следует убедиться в исправности самого измерителя. Она состоит из простых, несложных операций:

  • убедитесь, что батарея прибора заряжена, об этом будет свидетельствовать индикатор заряда;
  • включите тестер и выберите режим «прозвона» транзистора, на дисплее должна отобразиться единица в старшем разряде;
  • подключите к прибору щупы и соедините их вместе, должен прозвучать звуковой сигнал, а на экране индикатора высветиться нули, это свидетельствует об исправности мультиметра, данная процедура отнюдь не является лишней, поскольку обрыв проводов у щупов довольно распространенная неисправность.

После того как вы убедились в работоспособности тестера, можно приступать к проведению тестирования «прозвона» полупроводников, при этом необходимо внимательно отнестись к соблюдению полярности щупов: в гнездо «COM» вставляется черный, а в гнездо«VΩmA» красный.

Выводы р-п переходов называются эмиттер и коллектор, средний контакт – база. Красный щуп подключают к аноду, а черный к катоду, это прямое направление, на экране должно отобразиться значение напряжения. Если щупы поменять местами (обратное направление), то ток проходить не будет, на дисплее появится единица, обозначающая бесконечно большое значение напряжения. Если полупроводник неисправен, то в обоих случаях тестер издаст звуковой сигнал, а на дисплее по-прежнему будет высвечиваться единица.

Проводя процедуру проверки транзистора рекомендуется  выполнить шесть замеров, по одному в прямом и обратном направлениях:

  • база-эмиттер;
  • база-коллектор;
  • эмиттер-коллектор.

Об исправности полупроводника свидетельствует:

  • низкое сопротивление при прямом подключении постоянного тока;
  • бесконечно большое при обратном.

О неработоспособности транзистора свидетельствуют:

  • ноль или бесконечно большое сопротивление в обоих случаях;
  • нестабильность показаний;
  • любая значащая цифра при обратном подключении.

Интегральные комплиментарные инверторы и кольцевые генераторы на основе вертикально-канальных двухбазовых органических тонкопленочных транзисторов

  • Артикул
  • Опубликовано:
  • Эрцзюань Го ORCID: orcid.org/0000-0002-2205-8030 1 ,
  • Шен Син 1 ,
  • Феликс Доллингер ОРЦИД: orcid.org/0000-0003-4904-0276 1 ,
  • Рене Хюбнер ORCID: orcid.org/0000-0002-5200-6928 2 ,
  • Шу-Джен Ван 1 ,
  • Чжунбинь Ву ORCID: orcid. org/0000-0002-8425-5013 1,3 ,
  • Карл Лео 1 и
  • …
  • Ханс Климанн ORCID: orcid.org/0000-0002-9773-6676 1  

Природа Электроника том 4 , страницы 588–594 (2021)Процитировать эту статью

  • 3139 доступов

  • 13 цитат

  • 92 Альтметрический

  • Сведения о показателях

Предметы

  • Электротехника и электроника
  • Электронные и спинтронные устройства

Abstract

Органические тонкопленочные транзисторы с двойным затвором и боковым каналом использовались в псевдокомплементарных инверторах металл-оксид-полупроводник (КМОП) для управления напряжением переключения. Однако их относительно большая длина канала в сочетании с низкой подвижностью носителей заряда органических полупроводников обычно приводит к медленной работе инвертора. Органические тонкопленочные транзисторы с вертикальным каналом и двойным затвором являются многообещающей альтернативой из-за их короткой длины канала, но отсутствие соответствующих устройств p- и n-типа ограничивает разработку дополнительных схем инвертора. Здесь мы показываем, что органические вертикальные n-канальные проницаемые одно- и двухбазовые транзисторы, а также вертикальные p-канальные транзисторы с проницаемой базой можно использовать для создания интегрированных комплиментарных инверторов и кольцевых генераторов. Вертикальные двухбазовые транзисторы обеспечивают сдвиг напряжения переключения и увеличение коэффициента усиления. Инверторы имеют небольшие постоянные времени переключения на частоте 10 МГц, а семикаскадные комплементарные кольцевые генераторы демонстрируют короткие задержки распространения сигнала 11 нс на каскад при напряжении питания 4В.

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Варианты доступа

Подписаться на журнал

Получить полный доступ к журналу на 1 год

118,99 €

всего 9,92 € за выпуск

Подписаться

Расчет налогов будет завершен во время оформления заказа.

Купить статью

Получите ограниченный по времени или полный доступ к статье на ReadCube.

32,00 $

Купить

Все цены указаны без учета стоимости.

Рис. 1: Изготовление вертикальных органических транзисторов n- и p-типа. Рис. 2: Характеристики статического транзистора. Рис. 3: Контроль напряжения переключения. Рис. 4: Статические и динамические характеристики инвертора. Рис. 5: Динамические характеристики интегрированных семиступенчатых дополнительных кольцевых генераторов.

Доступность данных

Все данные, подтверждающие это исследование, включены в эту статью и ее файлы с дополнительной информацией. Исходные данные приводятся вместе с настоящей статьей.

Ссылки

  1. Chen, Y. et al. Гибкий дисплей на электронных чернилах с активной матрицей. Природа 423 , 136 (2003).

    Артикул Google ученый

  2. Сюй, К., Лу, Ю. и Такей, К. Многофункциональные гибкие сенсорные системы на основе кожи для носимой электроники. Доп. Матер. Технол. 4 , 1800628 (2019).

    Артикул Google ученый

  3. Хан, Х.У. и др. Обнаружение ДНК без меток in situ с использованием сенсоров на органических транзисторах. Доп. Матер. 22 , 4452–4456 (2010).

    Артикул Google ученый

  4. «>

    Секитани Т., Зшишанг У., Клаук Х. и Сомея Т. Гибкие органические транзисторы и схемы с исключительной устойчивостью к изгибу. Нац. Матер. 9 , 1015–1022 (2010).

    Артикул Google ученый

  5. Мыни К. Разработка гибких интегральных схем на основе тонкопленочных транзисторов. Нац. Электрон. 1 , 30–39 (2018).

    Артикул Google ученый

  6. Макферсон, М. Р. Расчеты сдвига порога для ионно-имплантированных МОП-устройств. Твердый. Государственный электрон. 15 , 1319–1326 (1972).

    Артикул Google ученый

  7. Люссем, Б. и др. Легированные органические транзисторы, работающие в режиме инверсии и обеднения. Нац. коммун. 4 , 2775 (2013).

    Артикул Google ученый

  8. «>

    Ли, К.-Т. и Чен, Х.-К. Механизмы улучшения характеристик органических тонкопленочных транзисторов с использованием пентацена, легированного MoO x , в качестве канального слоя. Орг. Электрон. 12 , 1852–1857 (2011).

    Артикул Google ученый

  9. Panidi, J. et al. Введение нелетучей примеси n-типа резко улучшает перенос электронов в полимерных и низкомолекулярных органических транзисторах. Доп. Функц. Матер. 29 , 1

    4 (2019).

    Артикул Google ученый

  10. Cui, T. & Liang, G. Двухзатворные пентаценовые органические полевые транзисторы на основе наноассемблированного SiO 2 тонкая пленка наночастиц в качестве диэлектрического слоя затвора. Заяв. физ. лат. 86 , 064102 (2005).

    Артикул Google ученый

  11. «>

    Иба, С. и др. Управление пороговым напряжением органических полевых транзисторов с двухзатворной структурой. Заяв. физ. лат. 87 , 023509 (2005 г.).

    Артикул Google ученый

  12. Гелинк, Г. Х., Ван Венендал, Э. и Коэхорн, Р. Органические тонкопленочные транзисторы с двумя затворами. Заяв. физ. лат. 87 , 073508 (2005).

    Артикул Google ученый

  13. Чуа, Л.Л., Френд, Р.Х. и Хо, П.К.Х. Органические полевые транзисторы с двойным затвором: операция логического И. Заяв. физ. лат. 87 , 253512 (2005 г.).

    Артикул Google ученый

  14. Морана М., Брет Г. и Брабек С. Органический полевой транзистор с двойным затвором. Заяв. физ. лат. 87 , 153511 (2005 г.).

    Артикул Google ученый

  15. «>

    Spijkman, M. et al. Повышение запаса помехоустойчивости в органических схемах с помощью двухзатворных полевых транзисторов. Заяв. физ. лат. 92 , 143304 (2008 г.).

    Артикул Google ученый

  16. Myny, K. et al. Схемы на униполярных органических транзисторах стали более надежными благодаря технологии двойного затвора. IEEE J. Твердотельные схемы 46 , 1223–1230 (2011).

    Артикул Google ученый

  17. Клаук Х. Увидим ли мы гигагерцовые органические транзисторы? Доп. Электрон. Матер. 4 , 1700474 (2018).

    Артикул Google ученый

  18. Гринман, М., Йоффис, С. и Тесслер, Н. Дополнительный инвертор из вертикальных органических полевых транзисторов со структурированным электродом истока. Заяв. физ. лат. 108 , 043301 (2016).

    Артикул Google ученый

  19. Климанн Х., Кречан К., Фишер А. и Лео К. Обзор вертикальных органических транзисторов. Доп. Функц. Матер. 30 , 1

  20. 3 (2020).

    Артикул Google ученый

  21. Доллинджер, Ф. и др. Вертикальные органические тонкопленочные транзисторы с анодированным проницаемым основанием для очень низкого тока утечки. Доп. Матер. 31 , 1

    7 (2019).

    Артикул Google ученый

  22. Лим, К.Г. и др. Анодирование для упрощения обработки и эффективного переноса заряда в вертикальных органических полевых транзисторах. Доп. Функц. Матер. 30 , 2001703 (2020).

    Артикул Google ученый

  23. «>

    Guo, E. et al. Высокоэффективные статические индукционные транзисторы на основе низкомолекулярных органических полупроводников. Доп. Матер. Технол. 5 , 2000361 (2020).

    Артикул Google ученый

  24. Lenz, J., del Giudice, F., Geisenhof, F. R., Winterer, F. & Weitz, R. T. Вертикальные органические транзисторы с электролитическим управлением демонстрируют непрерывную работу в MA cm −2 режим и искусственное синаптическое поведение. Нац. нанотехнологии. 14 , 579–585 (2019).

    Артикул Google ученый

  25. Perinot, A. & Caironi, M. Доступ к работе в МГц при 2 V с полевыми транзисторами на основе печатных полимеров на пластике. Доп. науч. 6 , 1801566 (2019).

    Артикул Google ученый

  26. «>

    Ben-Sasson, A.J. et al. Транзистор с вертикальным полевым эффектом с узорчатым электродом, изготовленный с использованием наношаблонов блок-сополимера. Заяв. физ. лат. 95 , 213301 (2009 г.).

    Артикул Google ученый

  27. Ben-Sasson, A.J. et al. Самосборный вертикальный органический полевой транзистор на основе металлической нанопроволоки. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 7 , 2149–2152 (2015 г.).

    Артикул Google ученый

  28. Субеди, К. Н., Аль-Шадеди, А. и Люссем, Б. Стабильность органических транзисторов с проницаемой базой. Заяв. физ. лат. 115 , 193301 (2019).

    Артикул Google ученый

  29. Кашура, Ф., Фишер, А., Касеманн, Д., Лео, К. и Люссем, Б. Управляющая морфология: вертикальный органический транзистор с самоструктурированной проницаемой базой с использованием нижнего электрода в качестве затравочного слоя. Заявл. физ. лат. 107 , 033301 (2015).

    Артикул Google ученый

  30. Kheradmand-Boroujeni, B. et al. Метод измерения слабого сигнала со смещением импульсов, обеспечивающий работу вертикальных органических транзисторов на частоте 40 МГц. науч. Респ. 8 , 7643 (2018).

    Артикул Google ученый

  31. Доллинджер, Ф. и др. Электрически стабильные органические транзисторы с проницаемой базой для дисплеев. Доп. Электрон. Матер. 5 , 1

  32. 6 (2019).

    Артикул Google ученый

  33. Люссем, Б. и др. Легированные органические транзисторы. Хим. Ред. 116 , 13714–13751 (2016 г.).

    Артикул Google ученый

  34. Guo, E. et al. Вертикальные органические проницаемые двухбазовые транзисторы для логических схем. Нац. коммун. 11 , 4725 (2020).

    Артикул Google ученый

  35. Клингер М.П. и др. Органическая силовая электроника: работа транзистора в режиме 2 кА/см. науч. Респ. 7 , 4471 (2017).

    Артикул Google ученый

  36. Дао, Т. Т. и др. Контролируемое пороговое напряжение в органических комплементарных логических схемах с полимером, улавливающим электроны, и диэлектрическим слоем фотоактивного затвора. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 8 , 18249–18255 (2016 г.).

    Артикул Google ученый

  37. Ю, Х., Он, С., Ли, С. Б., Чо, К. и Ким, Дж. Дж. Органические транзисторы с гетеропереходом с отрицательной крутизной и их применение в полноповоротных тройных схемах. Доп. Матер. 31 , 1808265 (2019).

    Артикул Google ученый

  38. Shiwaku, R. et al. Печатные органические инверторные схемы со сверхнизкими рабочими напряжениями. Доп. Электрон. Матер. 3 , 1600557 (2017).

    Артикул Google ученый

  39. Borchert, J.W. et al. Гибкие низковольтные высокочастотные органические тонкопленочные транзисторы. науч. Доп. 6 , eaaz5156 (2020).

    Артикул Google ученый

  40. Borchert, J.W. et al. Малое контактное сопротивление и высокочастотная работа гибких низковольтных инвертированных копланарных органических транзисторов. Нац. коммун. 10 , 1119 (2019).

    Артикул Google ученый

  41. «>

    Бенвадих, М. и др. Интеграция графеновых чернил в качестве электрода затвора для печатных органических комплементарных тонкопленочных транзисторов. Орг. Электрон. 15 , 614–621 (2014).

    Артикул Google ученый

  42. Райтери Д., Ван Лисхаут П., Ван Рурмунд А. и Кантаторе Э. Логика сдвига уровня с положительной обратной связью для электроники большой площади. IEEE J. Твердотельные схемы 49 , 524–535 (2014).

    Артикул Google ученый

  43. Китамура, М., Кузумото, Ю., Аомори, С. и Аракава, Ю. Высокочастотный органический дополнительный кольцевой генератор, работающий на частоте до 200 кГц. Заявл. физ. Экспресс 4 , 051601 (2011).

    Артикул Google ученый

  44. Baeg, K.J. et al. Низковольтные, высокоскоростные гибкие комплементарные полимерные электронные схемы, напечатанные с помощью струйной печати. Орг. Электрон. 14 , 1407–1418 (2013).

    Артикул Google ученый

  45. Ке, Т. Х. и др. Уменьшение органических дополнительных логических элементов для компактной логики на фольге. Орг. Электрон. 15 , 1229–1234 (2014).

    Артикул Google ученый

Ссылки на скачивание

Благодарности

E.G. и С.С. признаем финансовую поддержку Китайского стипендиального совета (№ 2017068

  • и 201706070125). З.В. признает финансирование от Фонда Александра фон Гумбольдта и фондов фундаментальных исследований для центральных университетов. К.Л. и Ф.Д. выражаем благодарность за поддержку Немецкого исследовательского фонда (DFG) в рамках грантов LE747/52-2 (SPP FflexCom/Flexartwo) и LE747/62-1. Кроме того, с благодарностью признается использование оборудования HZDR Ion Beam Center TEM и финансирование TEM Talos Федеральным министерством образования и исследований Германии (BMBF; грант № 03SF0451) в рамках HEMCP. Мы благодарим H. Tang из Leibniz IFW Dresden за ее помощь в оптической визуализации. Мы также благодарим Y. Gao из TU Dresden за ее помощь в измерениях кольцевого генератора.

    Информация об авторе

    Авторы и организации

    1. Дрезден Объединенный центр прикладной физики и фотонных материалов (IAPP), Технический университет Дрездена, Дрезден, Германия Ву, Карл Лео и Ханс Климанн

    2. Институт физики ионных пучков и исследования материалов, Гельмгольц-центр Дрезден-Россендорф (HZDR), Дрезден, Германия

      Рене Хюбнер

    3. Научный центр Frontiers для гибкой электроники, Сианьский институт гибкой электроники (IFE) и Сианьский институт биомедицинских материалов и инженерии, Северо-Западный политехнический университет, Сиань, Китай

      Zhongbin Wu

    Авторы

    1. Erjuan Guo

      Посмотреть публикации автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    2. Shen Xing

      Посмотреть публикации автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    3. Felix Dollinger

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    4. René Hübner

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    5. Shu-Jen Wang

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия

    6. Zhongbin Wu

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    7. Karl Leo

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    8. Hans Kleemann

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

    Взносы

    Х. К. и К.Л. предложил и курировал проект. Э.Г., З.В. и Х.К. разработал эксперимент. Э.Г., С.Х., Ф.Д. и С.-Дж.В. выполнил характеристику устройства. Р. Х. провел анализ ПЭМ. Э.Г., З.В., Х.К. и К.Л. проанализировал данные и стал соавтором рукописи. Все авторы обсудили результаты и прокомментировали рукопись.

    Авторы переписки

    Переписка с Erjuan Guo, Zhongbin Wu или Hans Kleemann.

    Заявление об этике

    Конкурирующие интересы

    Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

    Дополнительная информация

    Информация о рецензировании Nature Electronics благодарит Mario Caironi и других анонимных рецензентов за их вклад в рецензирование этой работы.

    Примечание издателя Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

    Дополнительная информация

    Дополнительная информация

    Дополнительная информация Рис. 1–6, подписи к рисункам и обсуждение, а также таблицы 1 и 2.

    Исходные данные

    Исходные данные Рис. 2

    Передаточная и выходная кривые OPBT n-типа и OPBT p-типа, соответственно.

    Исходные данные Рис. 3

    Характеристики передачи статического напряжения.

    Исходные данные Рис. 4

    Кривые передачи статического напряжения и динамические характеристики.

    Исходные данные Рис. 5

    Динамический отклик кольцевых генераторов при 6 В и время задержки на каскад.

    Права и разрешения

    Перепечатка и разрешения

    Об этой статье

    Эта статья цитируется

    • Органические цепи достигают новых высот

      • Вэй Хуанг
      • Антонио Факкетти

      Натур Электроникс (2021)

    [PDF] АСИММЕТРИИ ИМЕЮТ РАЗНИЦУ: АНАЛИЗ ТРАНЗИСТОРНЫХ АНАЛОГОВЫХ КОЛЬЦЕВЫХ МОДУЛЯТОРОВАСИММЕТРИЯMT, title={АСИММЕТРИИ ИМЕЮТ РАЗНИЦУ: АНАЛИЗ АНАЛОГОВЫХ КОЛЬЦЕВЫХ МОДУЛЯТОРОВ НА ТРАНЗИСТОРАХ}, автор = {Ричард Хоффманн-Бурчарди}, год = {2009} }

    • Richard Hoffmann-Burchardi
    • Опубликовано в 2009 г.
    • Physics

    В этой работе анализируются аналоговые кольцевые модуляторы на основе биполярных транзисторов, такие как EMS VCS3 и Doepfer A-114. Показано, что идеально симметричная стандартная модель из литературы [1][2] недостаточна для описания важнейших эффектов первого порядка. Выполнен детальный анализ схемы с использованием несогласованных частей. Информация, полученная в результате этого анализа, используется для формулирования цифровой модели, которую можно легко реализовать и которая фиксирует основные звуковые эффекты.

    dafx09.como.polimi.it

    Волновое цифровое моделирование кольцевого модулятора на основе диодов

    • A. Bernardini, K. Werner, P. Maffezzoni, A. Sarti

    • Информатика, физика

      2

    В этой статье разработана точная модель, основанная на принципах Wave Digital (WD) для реализации кольцевого модулятора в качестве цифрового звукового эффекта на основе метода итераций рассеяния (SIM), недавно разработанного для статического анализа больших нелинейных фотоэлектрические массивы.

    ПОДХОД К СИНТЕЗУ ЗВУКА ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЯ iVCS3 iOS

    • Э. Джордани, Алессандро Петролати

    • Физика

    • 2016

    синтезатор VCS3 от EMS, использующий оркестр Csound в качестве звукового движка. Несмотря на…

    Подход синтеза для iOS-приложения iVCS 3

    • E. Giordani, Alessandro Petrolati

    • Физика

    • 2015

    В этой статье рассказывается о процессе создания iOS-приложения для цифровой эмуляции знаменитого электронного синтезатора VCS3 от EMS с использованием оркестра Csound в качестве звукового движка. Несмотря на…

    Нелинейные абстрактные алгоритмы синтеза звука

    • Дж. Клеймола

    • Информатика

    • 2013

    Эффективные и новые алгоритмы ограниченного доступа к мобильным ресурсам, представленные в диссертации, полезны для веб-платформ синтеза звука. браузерах и в приложениях, требующих высокой полифонии.

    Числовой номер миграции новаторского творчества с живой электроникой. Mesa (1966) de Gordon Mumma

    • Дж. Голдман, Фрэнсис Лекавалье, Офер Пельц

    • Art

    • 2020

    Cet article резюме les retombees de livereuvnies d’un projet de recovery, a savoir Mesa (1966) дю составитель etatsunien Гордон Мумма (род. в 1935). Реконструкция…

    Цифровой волновой метод Ньютона-Рафсона для виртуального аналогового моделирования аудиоцепей с множественными однопортовыми нелинейностями

    • A. Bernardini, E. Bozzo, F. Fontana, A. Sarti

    • Информатика

      IEEE/ACM Transactions on Audio, Speech, and Language Processing

    • 2021

      • 9 Оригинальная формулировка NR

      9 Обсуждается метод в области Wave Digital для решения аудиосхем с множественными однопортовыми нелинейностями и показывается, как его квадратичная сходимость сильно зависит от свободных параметров, введенных при моделировании эталонной схемы в области WD.

      Виртуальное аналоговое моделирование нелинейных музыкальных цепей

      • Стефано Д’Анджело

      • Информатика

      • 2014

      В данной диссертации представлено обобщение теории взаимосвязей волновых цифровых фильтров (WDF) между различными подсетями. и соглашения о знаках и предлагает два новых неэнергетических двухпортовых адаптера WDF, а также расширение определений поглощаемой мгновенной и установившейся псевдомощности.

      с изображением 1-10 из 16 ссылок

      Сорт Byrelevancemost, под влиянием Papercersercyness

      Анализ и проектирование аналоговых интегрированных цепей

      • P. Grey, R. Meyer

      • Engineering

      1993
    999

  • Engineering

    • 199399999

    Engineering

    199399999954

    Eding академически строгий текст обеспечивает всестороннее рассмотрение анализа и проектирования аналоговых интегральных схем, начиная с основ и заканчивая текущими промышленными…

    Точный четырехквадрантный умножитель с субнаносекундным откликом

    Среди самых значительных презентаций за 50-летнюю историю ISSCC классическая статья Барри Гилберта стала пятой наиболее часто цитируемой статьей JSSC и первой, цитируемой более 100 раз.

    ЦИФРОВОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОЛЬЦЕВОГО МОДУЛЯТОРА ДИОДОВ ДЛЯ МУЗЫКАЛЬНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ

    • Richard Hoffmann-Burchardi

    • Физика

    • 2008

    Модель кольца разработана на основе этой модели, модулятор кольца из литературы, но модифицированный для музыкальных приложений. После краткого ознакомления с аналоговым кольцом…

    Компромиссы при проектировании аналоговых схем

    • К. Тумазу, Г. Мошиц, Б. Гилберт, Ганеш Катиресан

    • Экономика

    • 2002

    , с учетом местного НДС, и €(D) включает 7% для Германии, €(A) включает 10% для Австрии.

    Радиочастотные интегральные схемы и технологии

    • F. Ellinger

    • Информатика

    • 2007

    Рукопись предлагает необходимую теоретическую основу вместе со стратегиями оптимизации, подобными поваренной книге, и современными примерами дизайна для решения междисциплинарных проблем в компактной и всеобъемлющей форме и в одном томе.

    РубрикаРазное