Проверка igbt транзисторов: Как проверить IGBT транзистор, принцип работы IGBT.

Прибор для проверки мощных IGBT и MOSFET транзисторов N-канал Схема

Во время ремонта сварочного инвертора или другой техники возникает необходимость проверить мощный IGBT или MOSFET транзистор на предмет исправности, или подобрать к нему пару. Также при покупке новых транзисторов, нужно убедиться, что это именно те транзисторы, которые соответствуют маркировке на корпусе. Перебрав различные схемы в интернете, выбрал одну, по которой и повторил конструкцию прибора.

Идея заключается в том, чтобы иметь какую-то базу данных различных типов транзисторов, с которой можно сравнивать характеристики испытуемого транзистора, и если характеристики укладываются в определенные рамки, то транзистор можно считать исправным. Все измерения можно делать по упрощенной методике. Необходимую базу данных придется собирать конечно самому, но это все можно сделать.

Прибор позволяет провести такие измерения:

• определить исправность (неисправность) транзистора
• определить напряжение на затворе, которое необходимо для полного открытия транзистора
• определить относительное падение напряжения на выводах К — Э открытого транзистора
• определить относительную емкость затвора транзистора, даже в одной партии транзисторов есть отклонения и его косвенно можно увидеть
• подобрать транзисторы с одинаковыми параметрами

Принципиальная схема прибора представлена ​​на рисунке. Он состоит из источника питания 16 В постоянного тока, цифрового милливольтметра 0-1 В, стабилизатора напряжения +5 В на микросхеме L7805 для питания милливольтметра и питания светодиода, стабилизатора тока на лампе накаливания — для питания испытуемого транзистора, стабилизатора тока на микросхеме LM317 — для создания регулируемого напряжения (при стабильном токе) на затворе испытуемого транзистора с помощью переменного резистора и двух кнопок для открывания и закрывания транзистора.

Прибор достаточно прост и собран из общедоступных деталей. Для питания схемы можно использовать трансформатор с габаритной мощностью около 10 Вт и напряжением на вторичной обмотке 12 В. По желанию или в случае необходимости прибор можно питать от Li-Ion аккумулятора 18650 3,7 В в паре с повышающим преобразователем напряжения DC-DC MT3608. Для индикации параметров транзисторов применен цифровой вольтметр LXD5135 с пределом измерения от 0 до 1 В.

В моей конструкции для питания электронной схемы я использовал аккумулятор 18650 Li-ion 3,7 В и преобразователь напряжения DC-DC MT3608. Далее, изучая и адаптируя вольтметр, обнаружил интересную его особенность. Если на его клеммы L0 и HI подать напряжение, которое превышает его верхний порог измерения (1 В), то табло гаснет и вольтметр ничего не показывает, но стоит снизить напряжение и индикация возвращается (это все при постоянном питании 5В между клеммами 0V и 5V). Я решил использовать эту особенность. Думаю, что очень много цифровых вольтметров имеют такую ​​же особенность. Взять, например, любой китайский цифровой тестер, если в режиме 20 В на него подать 200 В, то ничего страшного не произойдет, он лишь высветит «1» и все.

Далее расскажу о четырех интересных моментах в работе схемы:

1. Лампа выполняет 2 функции, это защита схемы при подключении «пробитого» транзистора и некоторая стабилизация тока (54-58 мА).

2. Применение стабилизатора тока на LM317 позволило не сжечь переменный резистор (когда он в верхнем по схеме положении) и случайно нажатых двух кнопках одновременно, или при испытании «пробитого» транзистора. Размер ограниченного тока в этой цепи даже при коротком замыкании равна 12 мА.

3. Применение 4шт диодов 1N4148 в цепи затвора испытуемого транзистора нужно для медленного разряда емкости затвора транзистора, когда напряжение на его затворе уже снято, а транзистор находится еще в открытом состоянии. Эти диоды имеют малый ток утечки, которым и разряжают емкость.

4. Применение мигающего светодиода как измерителя времени (световые часы) при разряде емкости затвора.

Из всего вышесказанного становится совершенно ясно, как все работает.

---

 

Работа с прибором

1. Включаем прибор, при этом начинает мигать светодиод, вольтметр не светится (или высвечиваются цифры 999 зависит от типа вольтметра).
2. Подключаем испытанный транзистор.
3. Устанавливаем ручку регулятора напряжения на затворе в крайнее левое положение (против часовой стрелки), задав таким образом «ноль» Вольт на затворе транзистора.
4. Нажимаем на кнопку «Открыть» и одновременно плавно крутим регулятор напряжения по часовой стрелке, увеличивая напряжение на затворе транзистора до момента засветки вольтметра.
5. Останавливаемся, отпускаем кнопку «Открыть», читаем показатель на вольтметре и записываем его. Это напряжение открытия транзистора.
6. Возвращаем регулятор до упора по часовой стрелке.
7. Нажимаем кнопку «Открыть», засветится вольтметр, читаем данные и записываем их. Это напряжение К-Э на открытом транзисторе.
8. Возможно, что за время, потраченное на записи, транзистор уже закрылся, тогда открываем его еще раз кнопкой, и после этого отпускаем кнопку «Открыть» и нажимаем кнопку «Закрыть» — транзистор должен закрыться, а вольтметр — погаснуть. Это проверка целостности транзистора — открывания и закрывания.
9. Опять открываем транзистор кнопкой «Открыть» (регулятор напряжения в максимуме) и, дождавшись ранее записанных свидетельств, отпускаем кнопку «Открыть» одновременно начиная подсчитывать количество вспышек (миганий) светодиода.
10. Дождавшись угасание вольтметра, записываем количество вспышек светодиода. Это и есть относительное время разряда емкости затвора транзистора или закрытию (до увеличения падения напряжения на закрытом транзисторе более 1 В).
    Чем это время (количество) больше, тем соответственно емкость затвора больше.

Далее проверяем все имеющиеся транзисторы, и все данные сводим в таблицу.

Именно с этой таблицей и происходит сравнительный анализ транзисторов — фирменные они или копии, соответствуют своим характеристикам или нет.

Безусловно у кого при повторении этого прибора может выйти таблица с несколько другими цифрами, это возможно, потому что цифры на вольтметре зависят от многих вещей: от имеющейся лампочки накаливания и величины напряжения питания.

Из таблицы видно, чем отличаются, транзисторы, например G30N60A4 от GP4068D. Они отличаются временем закрытия. Оба транзисторы применяются в одном и том же аппарате — Телвин, Техника 164, только первые применялись чуть раньше (года 3, 4 назад), а вторые применяются сейчас. И другие характеристики по документации у них примерно одинаковые. А в данной ситуации все наглядно видно — все в наличии. Кроме того, если у вас получилась табличка всего с 3-4 или 5 типов транзисторов, и других просто нет в наличии, то можно, наверное, посчитать коэффициент «согласованности» ваших цифр с этой таблицей и, используя его, продолжить свою таблицу, используя цифры из этой таблицы.

Думаю, что зависимость «согласованности» в этой ситуации будет линейной. На начало хватит, а потом подкорректирует свою таблицу со временем.

Еще раз повторюсь, устройство не измеряет величину (чисел) указанных в документации, оно делает почти то же самое, но в относительных единицах, сравнивая один образец с другим.

Устройство не измеряет характеристик в динамическом режиме, это только статика, как обычным тестером. Но и тестером не все транзисторы подвергаются проверке, и не все параметры можно увидеть.

Вышел прибор простой и бюджетный, а главное, он привязывает все испытания к одним рамкам.

Желаю успеха при изготовлении данного прибора!

Как проверить igbt транзисторы

Сообщения без ответов Активные темы. Модераторы: Горшком назвали Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 0. Power Electronics Посвящается источникам питания вообще и сварочным источникам в частности.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• как проверить igbt транзистор
• Как проверить igbt модуль
• Power Electronics
• Как проверить igbt модуль
• IGBT транзисторы. Устройство и работа. Параметры и применение
• IGBT транзистор.Как его проверить и собрать его простейший аналог.
• IGBT транзистор.Как его проверить и собрать его простейший аналог.
• Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?
• Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ)
• Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить IGBT транзистор Легко и просто

как проверить igbt транзистор

Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются новым типом активного прибора, который появился сравнительно недавно. Его входные характеристики подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные — выходным характеристикам биполярного.

По быстродействию они значительно превосходят биполярные транзисторы. Чаще всего IGBT-транзисторы используют в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 — 0,4 мкс, а время выключения 0,2 — 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи А. IGBT- т ранзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками.

IGBT- т ранзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер. В какой-то степени это является следствием того, что во включенном состоянии при токах в сотни ампер падение напряжения на транзисторе находится в пределах 1,5 — 3,5В. Как видно из структуры IGBT-транзистора рис. Коллектор IGBT-транзистора рис. При подаче положительного напряжения на затвор у транзистора VT1 по-является электропроводный канал.

Это приводит к тому, что он полностью отпирается и падение напряжения между коллектором транзистора IGBT и его эмиттером становится равным падению напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4, просуммированному с падением напряжения Uси на транзисторе VT1. В связи с тем, что падение напряжения на р—n-переходе уменьшается с увеличением температуры, падение напряжения на отпертом IGBT-транзисторе в определенном диапазоне токов имеет отрицательный температурный коэффициент, который становится положительным при большом токе.

Поэтому падение напряжения на IGBT-транзисторе не опускается ниже порогового напряжения диода эмиттерного перехода VТ4. Эквивалентная схема IGBT-транзистора а и его условное обозначение в отечественной б и иностранной в литературе. При увеличении напряжения, приложенного к транзистору IGBT, увеличивается ток канала, определяющий ток базы транзистора VT4, при этом падение напряжения на IGBT-транзисторе уменьшается.

При запирании транзистора VT1 ток транзистора VT4 становится малым, что позволяет считать его запертым.

Дополнительные слои введены для исключения режимов работы, характерных для тиристоров, когда происходит лавинный пробой. Общая картина включения и выключения достаточно сложная, так как наблюдаются изменения подвижности носителей заряда, коэффициентов передачи тока у имеющихся в структуре p—n—p- и n—p—n-транзисторов, изменения сопротивлений областей и пр.

Хотя в принципе IGBT—транзисторы могут быть использованы для работы в линейном режиме, пока в основном их применяют в ключевом режиме. При этом изменения напряжений у коммутируемого ключа характеризуются кривыми, показанными на рис. Схема замещения транзистора типа IGBT а и его вольт-амперные характеристики б. Исследования показали, что для большинства транзисторов типа IGBT времена включения и выключения не превышают 0,5 — 1,0 мкс.

Для уменьшения количества дополнительных внешних компонентов в состав IGBT-транзисторов вводят диоды или выпускают модули, состоящие из нескольких компонентов рис. Искать в Школе для электрика:. Структура IGBT-транзистора.

Как проверить igbt модуль

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения — вот сфера применения таких элементов.

igbt транзистор fga25nt20 IGBT транзисторы можно увидеть в сварочных напряжением,и поэтому igbt очень легко проверить без мультиметра.

Power Electronics

Как проверить igbt транзистор мультиметром Sdelai-sam. IGBT транзистор. Что это и в чем его отличие от других. Как его проверить и сделать его аналог. Артем Косицын Биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор,..

Как проверить igbt модуль

Помогите пожалуйста. Может кто-нибудб поможет опознать? Посмотрел 3 одинаковых блока. Верхние 3 цифры у всех разные.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах.

IGBT транзисторы. Устройство и работа. Параметры и применение

IGBT транзисторы можно увидеть в сварочных инверторах и другой технике,где есть большие коммутируемые токи и напряжение. Транзистор сочетает в себе условно два транзистора:вход-затвор это полевой транзистор,а выход-коллектор и эмиттер биполярный транзистор. Затвор полевого транзистора управляется напряжением,и поэтому igbt очень легко проверить без мультиметра. К коллектору подключить лампу накаливания и плюс питания на лампу,к эмиттеру минус питания. Теперь пальцами дотронуться до затвора и коллектора,лампочка должна зажечься. Если дотронуться до затвора и эмиттера,лампочка погаснет.

IGBT транзистор.Как его проверить и собрать его простейший аналог.

В статье описываются базы внедрения многообещающих силовых модулей для увеличения способностей частотных преобразователей. Они разрешают удешевить почти все решения в области электропривода с юзанием массивных асинхронных двигателей. Это современный устройство, показавшийся приблизительно в конце прошедшего века и сделавший революцию в силовой электронике. Электроэнергия юзается населением земли уже издавна, по мере развития техники одна часть возникающих заморочек была удачно решена как к примеру, отказ от дорогих магнитных сплавов в пользу дешевенькой стали и медных обмоток возбуждения в движках неизменного тока и магнитах Вернер Сименс. Иная часть заморочек долго и упрямо не поддавалась решению. К ней, к примеру, можно отнести юзание переменного тока в электротранспорте. Электротехнические устройства постоянно содержат элементы коммутации и это самые нездоровые их места. При разрыве почти всех электрических цепей возникает дуга, пережигающая со временем контакты.

Вопрос, как их проверять,где купить,или чем заменить(у себя в деревне я таких транзисторов не нашёл)? Помогите пожалуйста!.

IGBT транзистор.Как его проверить и собрать его простейший аналог.

Запросить склады. Перейти к новому. Как проверить IGBT-транзистор,где купить или чем заменить?

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простая проверка IGBT транзисторов

Hey there! Thanks for dropping by Королев Александр! Take a look around and grab the RSS feed to stay updated. See you around! Это перевод вырезки, сделанный мной, из официальной документации для IGBT модулей или как их называют — транзисторов. Большинство производителей IGBT модулей полностью тестируют их перед отправкой и гарантируют их соответствие утвержденным параметрическим данным.

Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ)

Download link:. У радиолюбителей могут храниться транзисторы, добытые из старенькой материнской платы. На рисунке 1 показано схематичное устройство транзисторов и их условные графические обозначения. Другими словами можно не опасаясь спалить транзистор подавать непосредственно на базу без ограничительного резистора напряжение. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы. Козалось бы под замену.

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

В последнее время сектор элементной базы для силовой электроники бурно развивается. Базовыми элементами силовых регулирующих устройств являются мощные силовые ключи. Их основными параметрами являются предельные напряжения и ток, а также быстродействие и эффективность передачи энергии.

Совет по оценке состояния IGBT-модуля-VEICHI ELECTRIC

В работе могут возникнуть некоторые ситуации: поврежденный IGBT-модуль должен проанализировать причину отказа, или модуль с хорошим внешним видом должен определить, есть ли какая-либо неисправность.

В работе бывают ситуации: поврежденный IGBT-модуль должен проанализировать причину отказа, или модуль с хорошим внешним видом должен оценить, есть ли какая-либо неисправность. При отсутствии специализированного оборудования можно использовать цифровые мультиметры в качестве обычного инструмента, помогающего нам быстро идентифицировать IGBT. В настоящее время обычно используются файл диода, файл сопротивления и файл емкости мультиметра. Стоит отметить, что тестовые данные мультиметра не универсальны и могут использоваться только в качестве справочных.

Структура модуля

В качестве примера возьмем обычный модуль IGBT в корпусе 62 мм. Внутренняя часть состоит из микросхемы IGBT (биполярного транзистора с изолированным затвором), микросхемы FWD (диода свободного хода), соединительного провода и т. д. Некоторые сильноточные модули должны быть объединены несколькими наборами микросхем. На рисунке 1 представлен модуль производителя на 400 А:

Модуль производителя на 400 А

Его электрическое соединение показано на рисунке 3. Верхний и нижний мосты модуля имеют 4 набора микросхем IGBT и FWD, соединенных параллельно через соединительную линию. Эквивалентный электрический символ показан на рис. 4: 9.0003

Электрическое соединение

Эквивалентный электрический символ

Методы измерения

1.

Файл диода

С помощью файла диода можно измерить прямое падение напряжения VF обратного диода. Замкните затвор-эмиттер, соедините эмиттер с красной ручкой мультиметра, черную ручку соедините с коллектором, и нормальный модуль VF будет около 0,3 ~ 0,7 В. Если VF слишком велик, микросхема FWD или соединительный провод будут отключены. Короткое замыкание происходит в микросхеме FWD или IGBT.

Размер VF связан с прямым током IF. Как показано на рисунке ниже, существуют некоторые различия в сопротивлении и напряжении в тестовой цепи разных мультиметров, что приведет к различию результатов измерений. Поэтому это тестовое значение нельзя сравнивать с другими тестовыми значениями мультиметра. Он не может представлять данные в таблице данных. Это тестовое значение не имеет никакого другого значения. Его можно использовать только для определения того, является ли чип FWD хорошим или плохим.

VF control

2. Файл сопротивления

(1) Измерьте сопротивление между коллектором и эмиттером каждой трубки IGBT в модуле, замкните затвор-эмиттер, красная ручка мультиметра подключена к коллектору, черный индикатор подключен к эмиттеру, а нормальное значение сопротивления модуля, как правило, выше уровня мегаом.

(2) Измерьте сопротивление между затвором-эмиттером (затвор-коллектор) каждой трубки IGBT в модуле. Красный и черный щупы мультиметра подключены к затвору и эмиттеру (затвор и коллектор) соответственно, и нормальный модуль тоже показывает высокое сопротивление. Когда плата драйвера подключена к модулю, сопротивление затвор-эмиттер равно сопротивлению продувки, обычно несколько тысяч Ом.

Из-за диапазона измерения мультиметра некоторые мультиметры не могут отображать действительные значения для вышеуказанных измерений высокого сопротивления. Конечно, когда тестовое значение имеет высокий импеданс, это не означает, что модуль в порядке. Вышеупомянутый метод работы оказывает определенное влияние на определение неисправного модуля, но вероятность успеха не очень высока, и также требуется результат измерения емкости.

3. Файл конденсатора

Измерительный механизм мультиметра настроен на файл конденсатора, красная ручка подключена к затвору, черная ручка подключена к эмиттеру, а внутренняя емкость между затвором и эмиттером IGBT в модуле измеряется, данные измерений записываются, а затем заменяется тестовая ручка, то есть черная. Ручка счетчика подключается к воротам, красная ручка подключается к излучателю, и измеренные данные записываются. Емкость модуля варьируется от нескольких нФ до нескольких десятков нФ. Наконец, данные сравниваются с другими микросхемами IGBT в модуле, измеренными мультиметром, или с данными измерений того же производителя и того же типа модуля, и значения должны быть одинаковыми или похожими.

Во время измерения рекомендуется измерять только емкость между затвором и эмиттером. Cies в микросхеме IGBT самые большие, Ces и Coes намного меньше, чем Cies, см. рис. 6 и 7, а точность мультиметра для измерения емкости ограничена.

Дополнительно:

(1) Подобно прямому падению напряжения VF, испытательное значение здесь отличается от испытательного значения условий испытания в техническом паспорте и может использоваться только в качестве эталонного сравнения.

(2) Если плата драйвера подключена к модулю, это повлияет на результат измерения емкости, и ее следует удалить в первую очередь.

Точность мультиметра для проверки емкости ограничена

Сводка

Простая сводка цифрового мультиметра для определения качества IGBT выглядит следующим образом:

Шаг	Положение передачи	Показать результат	Результат дискриминанта
1	Диодный файл	Падение давления FWD 0,3~0,7 В	Чип FWD нормальный
		Падение давления слишком мало	Короткое замыкание чипа FWD или IGBT
		Падение давления слишком большое	Разрыв стружки FWD или разрыв линии соединения
2	Файл сопротивления	Rce, Rge, Rgc состояние высокого сопротивления	CE, GE, GC не закорочены
		Rce, Rge, Rgc Состояние низкого сопротивления	Пробой CE, GE, GC или короткое замыкание
3	Файл конденсатора	Значение Cies составляет от нескольких нФ до десятков нФ	Обычная дверь
		Нет значения или отклонение контраста	Поломка или отсоединение двери

Примечание: 

1. Вышеупомянутый метод используется в качестве предварительного метода различения, и для более точного анализа требуются специальные инструменты.

2. Не прикасайтесь к электродам модуля во время измерения, чтобы избежать электростатического повреждения или помешать дальнейшему анализу неисправного модуля.
 

Пожалуйста, свяжитесь с нами через [email protected], если у вас есть какие-либо предложения на этой странице.

Как тестировать БТИЗ (INS045E)

Как проверить БТИЗ (INS045E)

IGBT широко используются в преобразователях частоты, регуляторах мощности, коммутируемых источниках и преобразователях постоянного тока. Эти компоненты имеют гибридные характеристики, с изолированным затвором, как у полевого МОП-транзистора, и переходами между коллектором и эмиттером, как у биполярного транзистора.

Одним из наиболее распространенных тестов для тестирования IGBT является динамическое тестирование зарядки лампы мощностью от 40 до 100 Вт в ее коллекторе и питания цепи напряжением до 100 В постоянного тока.

При соединении затвора с эмиттером транзистора он должен оставаться в разрезе и при этом лампа не горит.

Подключив затвор к коллектору (что нужно сделать с резистором 10 кОм), транзистор насытится и лампа загорится. Эта динамическая процедура показана на рисунке 1.

 

Рис. 1. Динамические испытания IGBT

 

 

Если лампа продолжает гореть, оба IGBT закорочены, а если она не горит, IGBT открыт. Читатель должен знать о максимальном напряжении, которое может быть приложено между затвором и эмиттером транзистора, которое обычно составляет 20 В.

Если испытание проводится при более высоких напряжениях, напряжение, подаваемое на затвор, всегда должно быть меньше 20 В.

Однако аналогичный тест можно провести с помощью аналогового мультиметра и даже с некоторыми типами цифровых мультиметров, которые имеют достаточное тестовое напряжение, чтобы насытить его при размещении на шкалах резисторов или тесте диодов.

Для этой цели мы можем сначала выполнить тест на короткое замыкание, как показано на рисунке 2.

 

Рис. 2. Проверка с помощью измерителя

 

 

Сначала мы измерили сопротивление между выводами затвора и коллектора, а затем между затвором и эмиттером.

В обоих измерениях у нас должны быть показания высоких сопротивлений. Под высоким сопротивлением мы подразумеваем значения выше 10 МОм.

Если какое-либо из измерений показывает низкое сопротивление или даже среднее значение (от 10 кОм до 1 МОм), IGBT выходит из строя из-за короткой или даже чрезмерной утечки. Если он проходит этот тест, мы измеряем сопротивление между коллектором и эмиттером.

В одном смысле он должен быть высоким, а в другом — низким, потому что мы должны учитывать защитный диод, который есть у этих компонентов, как показано на рисунке 2.

Низкое сопротивление при обоих измерениях указывает на короткое замыкание IGBT, а несколько низкое значение сопротивления там, где оно должно быть очень высоким (от 10 кОм до 1 МОм), указывает на негерметичный компонент. В обоих случаях компонент не следует использовать.

В зависимости от напряжения батареи мультиметра можно выполнить относительно простой тест переключения. Для этого воспользуемся соединением рисунка 3 с мультиметром в промежуточном диапазоне резисторов.

 

Рисунок 3. Проверка с помощью измерителя

 

 

При касании отверткой или перемыкании затвора (g) и коллектора (C) транзистора он должен переключиться.

Это приведет к падению сопротивления с очень высокого значения до более низкого значения в зависимости от характеристик тестируемого IGBT и самого измерителя.

Однако необходимо учитывать, что внутренняя батарея некоторых мультиметров не имеет достаточного напряжения для обеспечения проводимости компонента.

Чтобы убедиться, что этот тест применим к имеющемуся мультиметру, было бы интересно попробовать IGBT, который, как мы знаем, находится в хорошем состоянии.

Один из способов проверки IGBT с помощью мультиметра в случае, если описанная прямая проверка невозможна, показан на рис. 4.

 

Рисунок 4 – Мультиметр и внешний источник в тесте IGBT

 

 

Аккумулятор на 9 В или даже источник большего напряжения (20 В) обеспечивает напряжение, необходимое для поляризации компонента, и, таким образом, в случае исправного компонента можно получить показания добавочного тока.

 

Схема тестирования БТИЗ

Существуют простые способы проверки IGBT. Однако с помощью генератора функций и осциллографа мы можем пойти дальше и определить характеристики тестируемого компонента.

На рисунке 5 показана схема для этой цели. Эта схема подходит для большинства распространенных IGBT и проста в развертывании. Мы также можем использовать его в дидактических целях, чтобы продемонстрировать характеристики этого компонента.

 

Рисунок 5 – Тестовая схема для IGBT

 

 

 

В этой схеме осциллограф настроен на функцию B/A, т. е. сигналы по оси Y зависят от оси X, а типичная чувствительность по двум осям составляет 2 В/дел.