Как проверить st1803dhi – ST1803DHI — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet

ST1803DHI — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet

Корпус транзистора ST1803DHI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база———1500В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер———600В
VeboНапряжение эмиттер-база———7В
IcТок коллектора———10,0А
IpТок коллектора импульсный (t≤5 мс)———15,0—
IbТок базы———4,0А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C——50Вт
IcboОбратный ток коллектораVcb = 1500 В, Veb = 0 В——1,0мА
IeboОбратный ток эмиттераVeb = 4 В, Ic = 0 В130—400 мА
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 4,5 А4—9—
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 4,0 A, Ib = 0,8 А—35В
Vbe_satНапряжение насыщения Б-ЭIc = 4,0 A, Ib = 0,8 А——1,2В
VfПадение напряжения на прямосмещенном диодеI = 5,0 А—1,52В
TfВремя спада импульсаиндуктивная нагрузка—0,30,6мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

аналоги, чем заменить, характеристики, аналог

Аналоги транзистора ST1803DHI:

TypePolStructPdVdsVgsVgs(th)IdTjQgTrCdRdsCaps
BF993NMOSFET0.220,0020,000.05150,006,0050,00SOT143
BF994SNMOSFET0.220,0017,000.05150,001,0050,00SOT143
BF994SRNMOSFET0.220,00
17,00		0.05150,0043587,0050,00SOT143R
SSTSD203NMOSFET0.3620,0020,002,000.05125,001,0050,00SOT143
18N50NMOSFET277,00500,0030,0018,00150,00165,00330,000.24TO3P TO263 TO220 TO230 TO220F1 TO220F2
18N50ANMOSFET173,00500,0030,0018,00150,0053.3264.60.26TO220
22N20NMOSFET156,00200,0030,0022,00150,00300,00220,000.12TO220 TO220F
640,00NMOSFET139,00200,0030,0018,00150,00150,00190,000.18TO220
AM30N25-270PNMOSFET300,00250,0020,001,0026,00150,0015,0023,00140,000.3TO220AB
AM40N20-180PNMOSFET300,00200,0020,001,0034,00150,007,0014,0080,000.18TO220AB
AM90N20-40PNMOSFET300,00200,0020,001,0070,00175,0094,0063,00488,000.04TO220AB
AOT11S60NMOSFET178,00600,0030,0011,00150,0020,0037.3 0.399TO220
AOT11S60LNMOSFET178,00600,0030,0043469,0011,00150,002,0037.30.399TO220
AOT11S65NMOSFET198,00650,0030,004,0011,00150,0020,0042,000.399TO220
AOT11S65LNMOSFET198,00650,0030,004,0011,00150,0020,0042,000.399TO220
AOT14N50NMOSFET278,00500,0030,0043589,0014,00150,0044,0084,00191,000.38TO220
AOT15S60NMOSFET208,00600,0030,0043680,0015,00150,0022,0058,000.29TO220
AOT15S60LNMOSFET208,00600,0030,0043499,0015,00150,0022,0058,000.29TO220
AOT15S65NMOSFET208,00650,0030,0015,00150,0024,0058,000.29TO220
AOT15S65LNMOSFET208,00650,0030,0043527,0015,00150,0024,0058,000.29TO220
AOT16N50NMOSFET278,00500,0030,0043589,0016,00150,0042.884,00191,000.37TO220
AOT20C60 NMOSFET463,00600,0030,005,0020,00150,0076,00145,000.25TO220
AOT20N25NMOSFET208,00250,0030,0043589,0020,00150,0031,00167,000.17TO220
AOT20N25LNMOSFET208,00250,0030,0043589,0020,00150,0031,00167,000.17TO220
AOT20N60NMOSFET417,00600,0030,0043589,0020,00150,0061,00125,00273,000.37TO220
AOT20N60LNMOSFET417,00600,0030,0043589,0020,00150,00
74,00		125,00273,000.37TO220
AOT20S60NMOSFET266,00600,0030,0020,00150,0032,0068,000.199TO220
AOT20S60LNMOSFET266,00600,0030,0043469,0020,00150,0032,0068,000.199TO220
AOT22N50NMOSFET417,00500,0030,0043589,0022,00150,0069,00122,00290,000.26TO220
AOT22N50LNMOSFET417,00500,0030,0043589,0022,00150,0083,00122,00290,000.26TO220
AOT25S65NMOSFET 357,00650,0030,004,0025,00150,0030,0087,000.19TO220
AOT25S65LNMOSFET357,00650,0030,004,0025,00150,0030,0087,000.19TO220
AOT27S60NMOSFET357,00600,0030,0027,00150,0033,0080,000.16TO220
AOT27S60LNMOSFET357,00600,0030,004,0027,00150,0033,0080,000.16TO220
AOT29S50NMOSFET357,00500,0030,0029,00150,0039,0088,000.15TO220
AOT42S60		NMOSFET417,00600,0030,0037,00150,0040,0053,00135,000.109TO220
AOT42S60LNMOSFET417,00600,0030,0043680,0039,00150,0053,00135,000.099TO220
AP16N50PNMOSFET173.6500,0030,004,0016,0050,00630,000.4TO220
AP16N50P-HFNMOSFET173.6500,0030,004,0016,00150,0050,00630,000.4TO220
AP18N20GP-HFNMOSFET89,00200,0020,0018,00150,0021,00185,000.17TO220
AP20WN170PNMOSFET83.3200,0020,003,0018,00150,0028,00160,000.17TO220
AP60SL150APNMOSFET143,00600,0020,005,0020,00150,0019,0065,000.15TO220
AP65SL130APNMOSFET178,00650,0020,005,0043522,00150,0042,0090,000.13TO220
AP65SL130DPNMOSFET178,00650,0020,005,0043522,00150,0036,0090,000.13TO220
AP65SL190APNMOSFET147,00650,0020,005,0020,00150,0029,0060,000.19TO220
AP65SL190DPNMOSFET147,00650,0020,005,0020,00150,0019,0060,000.19TO220
AP80SL400APNMOSFET152,00800,0020,005,0012,00150,0023,0060,000.4TO220
APQ11BSN40ANMOSFET147,00400,0030,004,0043507,00150,00101,00181,000.4TO220
AUIRFB4127NMOSFET375,00200,0020,0076,00100,000.02TO220AB
AUIRFB4227NMOSFET190,00200,0065,0070,000.026TO220AB
AUIRFB4332NMOSFET390,00250,0030,0060,0099,000.033TO220AB
AUIRFB4620NMOSFET144,00200,0020,0025,0025,000.0725TO220AB
BRF20N60NMOSFET208,00600,0030,0020,00150,00140,001280,000.19TO220FL
BUZ30AHNMOSFET125,00200,0021,000.13TO220
BUZ31HNMOSFET95,00200,0043599,000.2TO220

Автор: Редакция сайта

chem-zamenit.ru

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс (+) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс (+) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (красный) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный (+) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

  • Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

  • Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

  • Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

go-radio.ru

ST1803DHI транзистор (1803 NPN+VD+R 1500V 010A ISOWATT-218 ST1803DHI STM)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. ST…

Производитель: STM

Код товара: Т0000009876

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначениеЕдиница измеренияРежим изменения
ПроводимостьNPN
Функциональное назначение выводов1=B 2=K 3=E
>B-E Rbe=25 Ohm K-E=VD
Напряжение коллектор-база1 500V@Ie=0
Напряжение коллектор-эмиттер600V@Ib=0
Напряжение эмиттер-база7V@Ik=0
Ток коллектора max10A@25*C
Ток коллектор импульсный max15A@25*C
Ток базы max4A@25*C
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ15 typ@Ic=1A@Vce=5V
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ4…9@Ic=4A5@Vce=5V
Мощность рассеивания50W@25*C
Время включения5mks@Ic=4A@IbOn-END=0A8@Lb=5mkH@Vbb=-2V5@16kHz
Время выключения0,3mks@Ic=4A@IbOn-END=0A8@Lb=5mkH@Vbb=-2V5@16kHz
Температура рабочая-65…+150*C

elcom.zp.ua

Как проверить строчный трансформатор — TDKS. Ремонт строчной развертки.

КАК ПРОВЕРИТЬ TDKS

Нередко в ТДКС пробиваются выпрямительные диоды. Проверить их целостность можно прозвонив трансформатор мегомметром между аквадагом (присоской) и нижним выводом той же обмотки — выводом ABL.
На картинке выводы обозначенные точками A и ABL. В исправном трансформаторе сопротивление будет в обе стороны бесконечно велико.

Шасси Beko 12.4 — проверка строчной развёртки

О НЕИСПРАВНОСТЯХ СТРОЧНОЙ РАЗВЕРТКИ,ШАССИ СОБРАННЫХ НА СОСТАВНОМ ТРАНЗИСТОРЕ BU808.

1. Если транзистор пробит, вытаскиваете его, и для начала меряете без него напряжение на коллекторе, точка К
2. Если напряжение выше нормы, регулируете до нормы, если не поддается, меняете регулируемый стабилитрон TL431 в блоке питания.
3. Конденсатор C517 МЕНЯЕТЕ ОБЯЗАТЕЛЬНО на новый.
4. Проверяете пайки на разъёме ОС, ТДКС, конденсаторов. Пропаиваете.
5. Если были плохие пайки на конденсаторах, обязательно выпаиваете, осматриваете и если найдёте почернение — меняете. То же делаете если обнаружите раздутость прямоугольных конденсаторов.
6. Конденсатор C514 проверяете на наличие КЗ. Пробивается часто.
7. Запаиваете транзистор BU808 или аналог спаянный вручную из двух транзисторов, диода и резистора:
http://www.vseprosto.net/2012/11/bu808dfi-2sc5388-analog-zamena-sostavnogo-tranzistora/
8. Не ленитесь убирать остатки канифоли и промывать щеткой со спиртом. Никто после вас не скажет что паял ламер, а вы будете видеть малейшие сопли от припоя, и непропаи.
9. Если транзистор выбивает повторно — проверяете ТДКС, и ВСЁ что подключено к коллектору транзистора, а так же собственную пайку. В первую очередь конденсаторы на 1600 вольт.

ПЕРИОДИЧЕСКИ ПРОБИВАЕТСЯ ВЫХОДНОЙ ТРАНЗИСТОР СТРОЧНОЙ РАЗВЁРТКИ.

Пробой транзистора может быть тепловой, а может электрический.
Электрический пробой бывает из за неисправного трансформатора, плохих паек в районе коллектора транзистора, транзистора не того типа, отсутствия диода в цепи Коллектор-Эмиттер, пробитых конденсаторов, завышенного напряжения питания.
Тепловой сами понимаете от чего бывает.

Если возникли сложности и нужна помощь — добро пожаловать на форум: http://vseprosto.net/forum

www.vseprosto.net

РубрикаРазное

Добавить комментарий